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1. 삼성전자를 지원한 이유와 입사 후 회사에서 이루고 싶은 꿈을 기술하십시오. [공정기술 엔지니어:소재+소자+공정 전문성] 삼성전자는 CXL 개발 및 SOM 연구 등 차세대 기술 개발을 통한 초격차를 실현하고 있습니다. Metal ALD 공정개발 및 뉴메모리 소자를 구현하고, 측정·분석을 수행한 경험을 기반으로 삼성전자의 차세대 기술 달성에 공헌하는 ‘증착 공정 마스터‘가 되고 싶습니다. 선행 기술 개발에 기여할 수 있는 엔지니어를 목표로 다음의 역량을 쌓아왔습니다. 1) 소재 기반의 반도체 지식 함양 신소재공학 전공으로 재료의 전기적 특성, CMOS 단위공정 심화학습, 측정/분석법을 학습했습니다. 이러한 지식을 기반으로 원인을 찾고 해결하는 근본원인분석(RCA) 역량을 갖추기 위해 노력했습니다. 2) 소자 전문성 함양 500시간 이상 FAB 실습을 진행하였고, MLC-RRAM 구현을 위해 각 단위공정 단계에서의 공정설계-검증 과정을 수행하며 소자 특성/신뢰성 예측 및 개선 방안을 연구했습니다. 3) 증착공정 process에 대한 넓은 시야 ALD 관련 특허출원 및 SCI 논문 투고를 통해 아이디어 구상부터 평가/분석에 이르는 반도체 프로세스 최적화를 경험하며 신공정 기술 개발에 대한 역량을 길렀습니다. 수많은 증착 공정 경험과 학업적 성취를 기반으로 2027년 1.4nm 미세공정 개발과 2030년 1000단 이상의 VNAND 구현 등 삼성의 메모리파운드리분야 기술 초격차를 공고히 하는 데 이바지하겠습니다. 2. 본인의 성장과정을 간략히 기술하되 현재의 자신에게 가장 큰 영향을 끼친 사건, 인물 등을 포함하여 기술하시기 바랍니다. (※작품 속 가상인물도 가능) [외유내강: 응집력과 단단함] 학부연구생 활동 당시 연구원분들이 이야기할 때 언제나 웃음을 잃지 않는다고 제게 ‘웃상’이라는 별명을 지어주셨습니다. 별명에 대해 생각해보며 외유내강은 저를 표현하는 단어라고 생각하게 됐습니다. ‘외유: 팀원을 뭉치는 응집력’ 대학교 재학 중 축구동아리 부회장을 역임하던 당시 동아리원 모두가 하나의 팀이 되고자 노력했던 점이 대회에서 최종 2위라는 성과를 거둔 비결 중 하나라고 생각합니다. 보통 교내대회는 학기 시작과 함께 곧바로 진행하곤 합니다. 신입생부터 대학원생까지 처음 마주하는 선후배들이 분명 다가가기 어렵고 긴장이 될 것으로 예상했습니다. 이에 부회장으로서 아이스브레이킹을 주도하고 선후배가 알아갈 수 있도록 ‘서로의 이름을 말하며’ 꼬리 잡기, 미니게임 등을 진행하며 동아리 내 활발한 분위기를 이끌어내고자 했습니다. 또한, 대회준비를 위해 자체전을 열어 캠카메라로 경기 영상을 촬영했습니다. 이후 동아리원들과 영상을 같이 확인해보며 개개인의 장단점을 파악하고, 서로를 피드백하는데 많은 시간을 함께 가지며 사이가 더욱 돈독해졌습니다. 교내에서 저희 과는 소수과로 대회 시 매번 하위권에 위치했습니다. 그러나 팀원 간 화합을 기반으로 개개인의 부족한 부분을 개선하며 교내대회에서 최종 2위라는 성과를 이루어 낼 수 있었습니다. 경기가 끝난 그 순간 다 같이 필드에서 환호했던 순간은 정말 뜻깊은 경험으로 저한테는 최고의 팀으로 기억되고 있습니다. 모두가 하나가 됐을 때의 좋았던 기억을 토대로 부서 간 협력이 중요한 반도체연구소에 입사 후엔 팀 동료들, 나아가 삼성전자가 하나가 되는 데 이바지하겠습니다. ‘내강: 목표를 향해 나아가는 단단함’ ‘Zero Incubation Cycle’ 프로젝트에서 극박막 형성의 일환이었던 RuO2 공정 최적화 작업을 6개월 넘게 진행할 때, 기대한 결과물을 얻는 데 어려움이 있었습니다. 여러 논문을 토대로 원인분석에 다각도로 접근하였고, 이 과정에서 포기하지 않았을 때의 성취감을 배웠습니다. 1) RuO2 박막 공정 최적화 실험 초기 RuO2 박막의 형성 조건인 저온, 산소 분위기에서 50번이 넘는 실험을 진행하였습니다. 하지만 XRF, 4PP 기반 비저항 계산을 통해 RuO2 형성의 어려움을 확인하였고, 새로운 아이디어 제안이 필요했습니다. 2) DFT 계산 논문 바탕 새로운 조건 제안 동일 전구체를 이용한 DFT 논문을 Ru ALD 반응 메커니즘에 접목하였습니다. 이를 통해 반응물 주입 후 Ru 원자 반응기를 극대화하였고, HR-SEM으로 박막 표면을 비교/분석하였습니다. 최종적으로 Rework를 통해 270℃, 반응물 유량 500sccm의 공정조건을 확보하여 incubation cycle 75%, 비저항 83% 감소하였습니다. Advanced ALD의 초석인 기반 공정 최적화는 6개월 동안 포기하지 않고 실험하며 얻은 소중한 결과였습니다. 삼성전자와 함께 목표를 향해 달려가면서도 항상 웃음을 잃지 않고 협업하며 동료들이 생각하는 삼성의 ‘외유내강 0순위’가 되겠습니다 3. 최근 사회 이슈 중 중요하다고 생각되는 한 가지를 선택하고 이에 관한 자신의 견해를 기술해 주시기 바랍니다. [AI 반도체: 반도체 시장 新 르네상스] ChatGPT를 비롯한 생성형 AI, 자율주행 시장이 본격적으로 열리기 시작함에 따라 AI 및 빅데이터 분석 기술 등의 활용 영역이 광범위해지며, 처리해야 하는 데이터의 양이 폭발적으로 증가하고 있습니다. 이에 따라 HBM-PIM과 같은 고성능 메모리 반도체에 대한 수요는 메모리 시장의 새로운 활로를 열어주고 있습니다. 기존 전하 기반 메모리의 고집적화를 통한 성능개선은 직접적이지만 점차 물리적, 기술적 한계에 다다르고 있고, 이에 신규 소재 개발과 더불어 저항 변화 기반 메모리 소자를 기반으로 한 새로운 구조의 혁신으로 기술 초격차를 극대화하는 것이 중요하다고 생각합니다. 1) 신규 소재를 통한 혁신 반도체 소자의 지속적인 scaling에 따라 칩 내부에서 전기적 신호 전달을 위해 사용됐던 구리배선의 급격한 비저항 증가 문제가 발생하고 있습니다. 이에 높은 EMFP를 가진 구리배선을 대체할 Ru, Mo와 같은 차세대 배선물질에 대한 연구개발이 지속되고 있습니다. 이처럼 극한의 공정 미세화에 따른 기술적 한계를 돌파할 소재의 혁신이 핵심이라고 생각합니다. 2) 차세대 소자에 대한 적극적 투자 뉴 메모리는 기존 메모리 소자의 대체 기술로 꾸준히 연구되어 왔습니다. 삼성전자는 2023년 14nm node MRAM을 발표하였고, 최초로 MRAM 기반의 인-메모리 컴퓨팅을 개발하는 등 MRAM에 대한 과감한 선행기술 투자로 기술격차를 확보하였습니다. 인공지능 산업이 급속도로 발전하는 시점에서 이에 특화된 저전력 동작을 만족하는 뉴메모리 소자의 기술 개발은 차세대 저전력 AI-칩 분야에서 큰 역할을 수행 할 것입니다. 삼성전자는 앞으로 신규 소재/차세대 소자 개발을 위한 R&D 노력을 적극적으로 수행해야 한다고 생각합니다. 설계부터 양산까지의 최적화뿐만 아니라 신규 전구체 개발, 3DXP/SOM 등의 신규 소자 구조에 지속적인 투자를 통해 반도체 산업을 이끄는 리더로서 한 단계 성장할 수 있다고 확신합니다