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합격 자소서

삼성전자 / DS부문 CTO-반도체연구소_반도체공정기술 / 2024 상반기

인서울 / 화학공학과 / 학점 3.8/4.5 / 토익: 820, 오픽: IM2

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1. . 700 ( 1400) [ ] . 4 , trench hole . , nm size aspect ratio etch rate size . [Chip HARC etching] Chip GAA , 2022 GAA 3nm . size . HARC etching . HARC etching profile deformation, uniformity . 2. , . ( ) 1500 [ ] E-sports . 2020 . E-Sports . E-Sports , . , , . E-Sports , . . 1 1 . , . [ ] Working Holiday . , . . . Meetup 4 . , . , . , . . . 3. . 1000 [ ] 2021 IPCC 6 2021~2040 1.5 , 2018 10 . , . [ ESG greenhouse gas ] 2021 ESG . 2050 DS , RCS . . , . . , PFCs (Global Warming Potential, GWP) . GWP etching . 4. /(, , , ) , . 1000 [Etching ] 8 . , CCP, ICP chamber etching etching . , GWP precursor silicon carbide (SiC) etching . GWP precursor SiC etching mechanism etch rate . Source power, bias power, pressure, gas composition etching . OES, XPS, AFM radical , fluorocarbon film, surface roughness . , etch rate etching F radical . [ ] . , . , , , . .

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