지거국 / X / 학점 3.73/4.5 / 오픽: IH / 사회생활 경험: 포스코 인턴 1개월, 한국재료연구원 현장실습 2개월 / 반도체 관련 학부연구생 6개월, 포스코 스틸브릿지 인턴 1개월, 한국재료연구원 현장실습 2개월, 전공 무관 공모전 우수상 1개, 학회 우수 포스터 발표상 수상, 중앙동아리 창립 맴버
삼성전자는 업계 최초로 HKMG 공정을 적용시켜
기존 공정 대비 저전압인 1.1V에서도 고성능을 구현하고
전력 소모를 13% 감소시킨 DDR5을 양산하며 메모리 초격차를 유지하고,
12나노급 32Gb DDR5 D램은 TSV 공정 없이 양산함으로써
제조기술력까지 입증하고
인가전압의 경우, 350W 이상일 때
Ar 이온의 에너지가 강해 스퍼터링율이 감소하여
증착 속도가 느려지는 현상으로 인해 300W로 설정했습니다.
3.
총 76번의 실험과 시편 분석을 한 결과
‘인가전압 300W, 작업압력 3mTorr, 기판 온도 400도’ 조건으로
Al, Ti 각각 25.1, 19.8nm/min이란 증착속도를 구할 수 있었습니다.