Diode 에서 I-V 특성 측정을 하게 되면 곡선은 어떤 형태로 나타납니까?

아래의 Diode I-V특성곡선은 그 양단에 전압을 인가하였을 때 Diode에 흐르는 전류가 얼마인가를 측정한 그래프이다.

Diode를 순방향으로 바이어스 시키면 PN접합의 전위장벽에 해당하는 전압, 즉 Ge≃0.3[v], Si≃0.7[v]가 될 때까지는 전류가 거의 흐르지 않다가 이 전압 이상의 바이어스가 걸리면 급작스럽게 증가한다. 이 순방향 바이어스전류는 다이오드 내부저항에 의해 제어되어 비선형적인 특성을 나타낸다.

순방향 바이어스를 인가한 경우 전류가 급증하는 점의 전압을 컷인(cut-in) 전압이라 부른다. 한편, Diode를 역방향으로 바이어스 시키면 역방향전류는 거의 흐르지 않는다. 그러나 큰 역방향전압이 인가되면 절연파괴가 일어나 전류사태현상이 발생하여 과도한 전류가 발생하며 Diode는 항복(breakdown)현상을 나타내게 되는데, 이때는 Diode가 파손될 우려가 높다.

이 같은 항복 현상이 발생되는 점의 역방향전압을 Diode의 제너점이라 부른다.

<Diode I-V특성곡선>

반도체 기초이론1

공핍 영역(Depletion region)이란 무엇입니까?

반도체 기초이론1

Short channel effect가 무엇이며 그 방지방법에 대해 설명해보세요.

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