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[삼성전자] 2026년 경력사원 채용(DS부문)

상세내용

[삼성전자] 2026년 경력사원 채용(DS부문)



[수행업무]

https://www.samsung-dsrecruit.com/recruits/job_description/index.php

※ dsrecruit 홈페이지의 우측 상단 직무추천서비스(경력) 참고하시어, 직무별 상세정보와 직무코드 확인 부탁드립니다.


[공통지원자격]

- 병역필 또는 면제로 해외여행에 결격사유가 없는 분


[공통우대사항]

- 학사 취득 후 2년 이상 유관경력 보유 하신 분

※석/박사 학위취득(예정)자의 경우 수학기간을 경력기간으로 인정합니다.


[전형절차]

- 지원서 접수 > 서류전형 > 면접전형 > 건강검진

- SW/개발직무의 경우 SW역량테스트 별도 진행


[삼성전자] 2026년 경력사원 채용(DS부문)

[삼성전자] 2026년 경력사원 채용(DS부문)


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기업정보

삼성전자

삼성전자

대표자명
전영현
설립일자
1969-01-12
기업형태
대기업
상세업종
통신 및 방송장비 제조업

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삼성전자 지원·합격 스펙

삼성전자 채용 공고에 지원한 3,792명 기준

학교

  1. 1고려대학교(서울)5.7%
  2. 2경희대학교4.7%
  3. 3중앙대학교4.4%
  4. 4성균관대학교4.3%

전공

  1. 1경영학10.5%
  2. 2전자공학5.6%
  3. 3기계공학4.5%
  4. 4신소재공학3.6%

연령

  • 25세 미만37.7%
  • 25~26세40%
  • 27~28세14.3%
  • 29~30세4.1%
  • 30세 초과3.9%

관심직무

  1. 1기획/전략/경영11.7%
  2. 2연구개발/설계11.3%
  3. 3반도체/디스플레이10.3%
  4. 4마케팅/운영/홍보10.3%
  5. 5IT/개발/데이터9.2%
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  • 중경외시 / 기계공학부 / 학점 4.09 / 오픽: IM2 / 전국 대학생 자작모형항공기 경진대회, 시스템융합설계 연구실, 항공동아리, 자기주도학습 커뮤니티, 마술동아리

    1. 삼성전자를 지원한 이유와 입사 후 회사에서 이루고 싶은 꿈을 기술하십시오.(700자) [반도체 제조 시스템에서 문제를 해결하는 설비 엔지니어가 되고자 지원했습니다] 실제 시스템을 제작하고 운영하는 과정에서 발생하는 문제를 분석하고 개선하는 경험을 통해 저는 설비 엔지니어라는 직무에 관심을 가지게 되었습니다. 설계 단계에서는 문제가 없어 보이던 구조도 실제 제작과 구동 과정에서는 다양한 변수로 인해 예상과 다른 문제가 발생했고, 이를 분석하고 구조를 개선하는 과정에서 시스템이 안정적으로 동작한다는 점을 경험했기 때문입니다

    2026 상반기

    삼성전자

    DS부문_메모리사업부 설비기술

  • 인가경 / 전자공 / 학점 4.03 / 오픽 IH / 학부연구생1년, 반도체경진대회 입상 / ADSP

    1.삼성전자를 지원한 이유와 입사 후 회사에서 이루고 싶은 꿈을 기술하십시오 업계 최초 300단 이상 V낸드 양산 등 삼성전자가 증명해 온 '초격차'는, 극한의 HAR식각 공정에서 미세 변수 하나까지 통제해 낸 '집요함의 산물입니다. 수율을 좌우하는 나노 단위의 변동성을 끝까지 추적하는 태도만이 반도체 패권 경쟁에서 1위를 수성할 유일한 해답이라고 생각합니다.. 학부 연구생 시절, 저는 Mo/Cu 박막의 물성 특성을 통한 소자 특성 개선이라는 목표를 설정하고 최적의 증착 조건인 420nm를 도출했던 경험이 있습니다. 그 과정

    2026 상반기

    삼성전자

    DS부문_반도체공정기술

  • 인가경 / 전자공 / 학점 4.03 / 오픽 IH / 학부연구생1년 / ADSP

    1.삼성전자를 지원한 이유와 입사 후 회사에서 이루고 싶은 꿈을 기술하십시오 업계 최초 300단 이상 V낸드 양산 등 삼성전자가 증명해 온 '초격차'는, 극한의 HAR식각 공정에서 미세 변수 하나까지 통제해 낸 '집요함의 산물입니다. 수율을 좌우하는 나노 단위의 변동성을 끝까지 추적하는 태도만이 반도체 패권 경쟁에서 1위를 수성할 유일한 해답이라고 생각합니다.. 학부 연구생 시절, 저는 Mo/Cu 박막의 물성 특성을 통한 소자 특성 개선이라는 목표를 설정하고 최적의 증착 조건인 420nm를 도출했던 경험이 있습니다. 그 과정

    2026 상반기

    삼성전자

    DS부문_반도체공정기술

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