[반도체] SK하이닉스, 7세대 ‘HBM4E’ 12단 샘플 고객사 공급 개시

📍 SK하이닉스, 18일 차세대 AI용 D램 ‘HBM4E’ 12단 샘플 주요 고객사에 공급…당초 하반기 예정보다 앞당겨

📍 삼성전자(5월 29일)와 3주 차이…HBM ‘베이스 다이(로직 다이)’가 7세대 주도권 핵심 승부처로

SK하이닉스는 18일 차세대 AI용 초고성능 D램 신제품 ‘HBM4E’ 12단 샘플을 주요 고객사들에 공급했다고 밝혔다. 이 제품은 핀당 최대 16Gbps 데이터 처리 속도를 구현하고 에너지 효율을 20% 이상 개선했으며, 어드밴스드 MR-MUF 공정을 적용해 12단 적층 기준 48GB 용량과 HBM4 대비 17% 낮은 열 저항을 달성했다.

삼성전자가 지난달 29일 HBM4E 12단 샘플을 먼저 출하한 데 이어 SK하이닉스도 약 3주 만에 공급에 나서면서 7세대 HBM 주도권 경쟁이 본격화됐다. 특히 전력·신호를 제어하는 ‘베이스 다이(로직 다이)’ 성능이 메모리 전체 성능을 좌우하는 변수로 떠올랐는데, 삼성전자는 파운드리사업부의 4나노 공정을, SK하이닉스는 TSMC 최선단 공정을 적용하는 차별화 전략을 쓰고 있다.

취준생 입장에선 HBM 라인 증설과 신제품 양산이 메모리·후공정(패키징)·공정기술 직무의 채용 수요로 직결된다는 점이 중요하다. ‘추론 AI’ 확산으로 발열·전력 효율 관리가 핵심 경쟁력이 되면서 해당 분야 R&D·공정 인력의 가치도 높아지는 흐름이다.

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