[반도체] 삼성·SK, 호남에 800조 투입…메모리 팹 4기 신설

📍 삼성전자·SK하이닉스, 전남광주통합시에 총 800조원 투입해 메모리 팹 4기 신설

📍 충청권 81조원 HBM 첨단 패키징 팹 추가…5년 내 국내 메모리 생산능력 2배로

삼성전자와 SK하이닉스가 총 800조원을 투입해 메모리 반도체 공장(팹) 4기를 새로 짓는다(삼성 2기·SK 2기). 6월 29일 청와대에서 열린 ‘대한민국 대도약 3대 메가프로젝트 국민보고회’에서 발표된 계획으로, 신규 팹은 전남광주통합특별시에 세워 수도권에 밀집된 생산 거점을 서남권으로 넓힌다. 후공정에서는 충청권에 81조원을 투입해 HBM 등 첨단 패키징 팹을 추가하며, 이재용 삼성전자 회장은 “HBM은 천안·온양 등 충청권에 집중 투자하겠다”고 밝혔다. 최태원 SK그룹 회장은 용인 D램 600조원, 청주 낸드 100조원에 전남광주 400조원을 더한 1100조원 투자 목표를 제시했다. 정부와 기업은 건설 중인 팹의 조기 가동과 인허가 단축을 통해 5년 내 국내 메모리 생산능력을 2배로 늘릴 계획이다.

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