기출문제 유형별 학습 전략

많은 수의 기출문제를 연습하였더라도 막상 면접장에서 낯선 기출문제를 만나면 당황할 수밖에 없다. 이러한 낯선 기출문제에 대응하기 위해 기출문제 유형별 학습 전략을 알고, 이에 기초하여 응용력을 기르는 훈련이 필요하다. 이에 주요 유형별 학습 전략을 소개한다. 전공면접 기출문제 유형은 크게 ‘설명형, 비교형, 솔루션형’으로 나눌 수 있다. 판서를 하는 경우, PT면접 시 발표 순서 및 내용을 가이드 할 수 있는 키워드 위주로 판서하고, 시간이 허락하는 내에서 도식을 간략히 그리는 것이 좋다.

설명형

유형 소개

해당 문제와 관련된 기본적인 정의와 원리, 종류, 특성 등의 지식에 대해 물어보는 유형으로, 소자, 공정을 막론하고 가장 많이 출제되는 유형이다. 크게, 기본이 되는 기술과 최근 기술 동향에 대한 관심을 물어보는 질문으로 나눌 수 있다.

기출문제 예시

  • FinFET에 대해 설명하시오.

  • EUVL에 대해 설명하시오.

풀이 전략

  • 정의, 구조, 동작 원리, 종류, 특성(장단점), 응용 등을 토대로 요약 · 설명한다.

  • 최신 기술인 경우 도입 배경을 추가하여 설명하는 것이 좋다.

  • 특성 중에서 단점에 대한 내용은 추가 질문에서 답할 수 있도록 준비한다.

답안 구조화 TIP

Q FinFET?

  • 도입: 2D MOSFET SCE 한계 → 3D FinFET Gate Drain Fin Source

  • 구조: 수직 돌기 채널 → 채널 3면을 게이트가 감싸는 구조

  • 원리: 채널 3면 게이트 감쌈 → 게이트 제어 능력↑ → SCE↓

  • 장점

도핑 농도↓ → VTh 산포↓, 이동도 증가↑

HFIN↑ → I DSAT↑

  • 단점

채널 폭 양자화 → 설계 자유도↓

정밀한 핀 형성 제어, 고 선택비 식각, 등방성 도핑

비교형

유형 소개

서로 유사성이 있거나 상반된 성질을 가진 두 가지 이상의 기술에 대한 기본 개념과 원리, 특성, 사용 설비 등의 차이점을 알고 있는지를 묻는 유형이며, 꾸준히 출제되고 있다.

기출문제 예시

  • DRAM, SRAM, 낸드 플래시 메모리를 비교 설명하시오.

  • PVD와 CVD 공정을 비교하시오.

풀이 전략

  • 설명형 문제와 유사하게 정의, 구조, 동작 원리, 종류, 특성(장단점), 응용 등을 비교 설명한다.

  • 대상의 심화된 개별 내용보다는 비교 항목에 집중한다.

  • 두 기술의 공통점과 차이점을 부각시켜 설명한다.

  • 판서나 답안 제출의 경우는 비교표를 그리는 것도 좋은 방법이다.

답안 구조화 TIP

Q DRAM, SRAM, 낸드 플래시 메모리 비교?

솔루션형

유형 소개

소자나 공정의 일반적인 문제 또는 한계에 봉착한 기술적 문제에 대한 공학적 지식을 기반으로 한 해결책(솔루션)을 제시하는 유형이다. 본 유형의 경우는 두 가지의 출제 의도가 있는 것으로 파악된다. 이미 알려진 해결책을 인지하고 있는지를 묻기 위함일 수 있고, 또는 답이 정해진 질문과 실무에서도 해결책이 모호한 문제에 대해 면접자의 참신한 창의력을 평가하고자 하는 의도일 수도 있다. 최근 들어 출제 빈도가 높아지고 있다.

기출문제 예시

  • 구리 금속배선을 사용하는 이유와 문제점, 그리고 해결책은 무엇인지 설명하시오.

  • 게이트 산화막의 박막화에 따른 누설 전류에 대한 대책을 설명해 보시오.

풀이 전략

  • 질문의 배경과 문제점을 명확히 제시한다.

  • 알려진 문제에 대해서는 평소 공부한 내용을 논리적으로 서술하면 된다.

  • 정해진 답의 유무와 상관없이, 본인이 모르는 문제일지라도 전공 지식이나 자신이 알고 있는 반도체 지식을 활용해 창의적이고 논리적으로 접근하여 답변한다.

답안 구조화 TIP

Q 구리 배선 사용 이유, 문제점, 해결책?

  • 배경: Al → Cu 전환

소자 미세화 → 배선 저항 & 전류 밀도↑ → RC Delay & 신뢰성(EM) 문제

신 물질 필요 → Al 배선 금속 비저항 감소(Al ≫ Cu) & EM 수명 개선(Al ≪ Cu)

  • 문제: Cu 문제점

식각 어려움 → 새로운 패턴 형성 방법 필요

Cu의 Si, SiO2 내 확산↑ → 확산 방지막 필요

  • 해결책: 다마신 구조 적용

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