[반도체] 삼성전자, HBM5 베이스다이에 2나노 공정 적용…동작속도 50% 향상

📍 삼성전자, HBM5 베이스다이(로직)에 파운드리 최선단 2나노 GAA 공정 적용

📍 동작속도 전작(HBM4E) 대비 50% 이상 향상 목표

삼성전자가 차세대 고대역폭 메모리 HBM5의 두뇌 역할을 하는 베이스다이에 파운드리 최선단 2나노 공정을 적용한다고 밝혔다. 구자흠 삼성전자 파운드리사업부 기술개발실장(부사장)은 삼성전자 뉴스룸을 통해 HBM5의 동작 속도를 전작 HBM4E 대비 50% 이상 끌어올리겠다고 설명했다. 2나노 GAA(게이트올어라운드) 구조와 더 높은 집적도의 TSV를 적용해 메모리와 로직을 촘촘하게 결합하는 방식으로, 메모리·파운드리·첨단 패키징을 모두 갖춘 삼성의 종합 반도체 역량이 강조된 대목이다. 삼성전자는 앞서 HBM4 양산과 HBM4E 샘플 출하에 성공했고, 테슬라 AI5 칩 수주 등 빅테크 물량도 이어가고 있다. 취준생 입장에선 파운드리·메모리·패키징이 맞물리는 첨단공정 인력 수요가 커진다는 신호로 읽을 수 있다.

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