[반도체] 삼성, 'HBM의 8배 성능' 차세대 3D 메모리 'zHBM' 공개

📍 GPU·NPU 위에 D램을 수직으로 쌓는 'zHBM', HBM5 대비 GPU당 연산 성능 최대 8배

📍 전력 대비 성능 3배·TSV 밀도 10배…삼성, 수년 내 상용화 목표

삼성전자가 4일(현지시간) 미국 캘리포니아 샌타클래라에서 열린 'FMS 2026' 콘퍼런스에서 차세대 3D 메모리 'zHBM'을 공개했다. zHBM은 데이터 저장장치인 HBM을 GPU·NPU 등 연산용 칩 위에 수직으로 쌓아 올린 구조로, HBM5 대비 GPU당 연산 성능을 최대 8배, 전력 대비 성능을 3배 끌어올리고 TSV(실리콘관통전극) 밀도는 10배로 높였다. 발열 문제를 해결하기 위해 D램 단수를 1~4단으로 축소한 것이 특징이다. AI 연산에서 메모리와 프로세서 사이의 데이터 병목을 근본적으로 줄이려는 시도로, 삼성은 수년 내 상용화를 목표로 하고 있다. HBM 주도권 경쟁에서 밀렸다는 평가를 받아온 삼성이 메모리 구조 혁신으로 반등의 발판을 마련하려는 움직임으로 풀이된다.

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