[반도체] 中 CXMT, 2분기 D램 점유율 10% 돌파…삼성·SK 추격 본격화

📍 CXMT, 2026년 2분기 글로벌 D램 점유율 10% 기록하며 4위 진입

📍 기술 격차 5년→약 3년으로 축소…HBM3E 소량 생산 시작, 2027년 대량 양산 예고

중국 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 2026년 2분기 글로벌 D램 시장에서 점유율 10%를 기록하며 4위에 올랐다. 2023년까지 1% 미만이던 점유율은 2025년 2분기 4%, 2026년 1분기 8%를 거쳐 두 자릿수로 올라섰고, 같은 기간 SK하이닉스 점유율은 29%에서 25%로 낮아졌다.

CXMT는 삼성전자·SK하이닉스보다 먼저 LPDDR6 양산을 선언했고, HBM3E도 소량 생산을 시작해 2027년 대량 양산을 예고했다. 올해 상반기 매출은 1503억 위안(약 30조 8000억원), 순이익은 776억 위안(약 16조원)으로 흑자 전환했다.

업계에서는 과거 5년 수준으로 평가되던 기술 격차가 약 3년으로 좁혀진 것으로 본다. 미중 관계 변화에 따라 CXMT가 애플 공급망에 진입할 가능성까지 거론되면서, 범용 D램에서 시작된 경쟁이 고부가 메모리로 옮겨붙을지가 관전 포인트다. 메모리 3사 중심의 시장 구도가 흔들릴 경우 국내 반도체 기업의 인력·투자 전략에도 영향이 불가피하다.

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