삼성전자, ASML과 12인치 포토마스크 개발…2028년 D램에 차세대 EUV 첫 도입

📍 삼성전자·TSMC·인텔이 ASML과 함께 포토마스크를 6인치에서 12인치로 키우는 차세대 노광 표준 개발에 착수했다

📍 삼성전자는 2028년 D램 제품부터 하이-NA EUV를 처음 적용할 계획이며, SK하이닉스도 참여를 검토 중이다

ASML과 삼성전자, 대만 TSMC, 미국 인텔이 반도체 노광 공정의 새로운 표준을 만드는 프로젝트에 함께 참여한다고 9월 8일 밝혔다. 수십 년간 6인치로 고정돼 있던 포토마스크 규격을 12인치로 넓혀, 하이-NA EUV 장비가 안고 있던 노광 면적 한계를 풀어내는 것이 핵심이다.

포토마스크는 회로 설계도를 웨이퍼에 새길 때 쓰는 원판으로, 한 번에 찍어낼 수 있는 면적이 곧 생산성과 직결된다. 하이-NA EUV는 해상력이 높은 대신 한 번에 노광하는 면적이 기존 EUV의 절반이어서, 큰 칩을 만들 때 두 번 나눠 찍고 이어 붙이는 작업이 필요했다. 포토마스크가 커지면 이 제약이 완화돼 첨단 공정의 수율과 원가 경쟁력이 함께 개선된다.

삼성전자는 이 표준을 적용해 2028년 D램 제품부터 차세대 EUV를 처음 도입한다는 계획을 세웠다. 메모리와 파운드리 양쪽에서 미세공정 로드맵이 앞당겨지는 만큼, 공정·설비·소재 분야의 기술 인력 수요도 함께 늘어날 가능성이 크다. 반도체 취업을 준비한다면 EUV 노광, 포토마스크, 하이-NA 같은 키워드는 면접에서 자주 다뤄지는 주제이므로 개념 수준에서라도 정리해두는 편이 좋다.

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