[반도체] SK하이닉스, 발열 잡는 'iHBM' 공급망 협의 착수…열 저항 30% 이상 감소

📍 국내외 소재·부품·장비 기업과 iHBM 실제 공정 적용·양산 계획 협의 시작…협력사 저변 확대도 검토

📍 베이스 다이에 통합 냉각 요소 'ICE'를 넣어 열 저항 30% 이상 감소, HBM5부터 적용 목표(2029년 전후 출시 로드맵)

SK하이닉스가 국내외 소재·부품·장비 기업과 iHBM의 실제 공정 적용과 양산 계획을 두고 협의에 들어갔다. iHBM은 지난 5월 공개한 기술로, HBM 적층 구조의 가장 아래층인 베이스 다이에 통합 냉각 요소(ICE)를 넣는 것이 핵심이다. ICE는 베이스 다이의 통신 인터페이스 영역에 자리해 열이 빠져나가는 새로운 경로를 만들며, 회사는 이를 통해 열 저항을 30% 이상 낮춰 고온·고부하 환경에서도 안정적으로 동작할 수 있다고 설명한다. 발열은 HBM의 가장 큰 기술 과제로 꼽힌다. 베이스 다이에는 GPU와 연결되는 물리 계층이 들어 있어 연산 부하와 적층 단수가 올라갈수록 열이 늘고, 지금 구조에서는 열이 코어 D램 다이를 거쳐 빠져나가 제어에 한계가 있다. 발열을 잡지 못하면 전력 효율과 성능이 떨어지고 시스템 오류나 수명 단축으로 이어진다. iHBM은 기존에 쓰던 어드밴스드 MR-MUF 기반 웨이퍼 레벨 패키징을 활용해 공급망도 기존 HBM과 비슷할 전망이며, SK하이닉스는 성능과 생산성을 높이기 위해 협력사 저변 확대를 검토하고 있다. 적용 목표는 2029년 전후 출시가 예상되는 HBM5부터이며 현재 TSMC CoWoS 패키징으로 검증을 진행 중이다. 패키징·열 관리가 HBM 경쟁의 핵심 축이 되는 만큼, 메모리나 패키징 직무를 준비한다면 발열 제어 기술도 함께 정리해두면 좋다.

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