[반도체] 마이크론, 4F² D램 공식 포기…'웨이퍼 본딩·3D 적층'으로 방향 전환

📍 마이크론, 20년 이상 연구한 4F² 셀 구조 도입을 포기하고 기존 6F² 연장 + 웨이퍼 본딩·3D 적층에 집중한다고 밝혀

📍 1δ 공정은 2027년 하반기 아이다호 보이시에서 양산 시작, 3D D램은 1ζ와 1η 사이 배치…메모리를 프로세서 위에 올리는 버티컬 HBM도 공개

마이크론이 21일(현지시간) 기술 웨비나에서 향후 10년 메모리 개발 로드맵을 공개하며 차세대 D램 미세화의 관문으로 꼽히던 4F² 셀 구조 도입을 공식 포기한다고 밝혔다. 회사는 20년 이상 4F²를 연구했지만 실행 가능한 스케일링 경로가 없다고 설명했고, 스콧 드보어 사장 겸 CTPO는 4F² 스케일링에 근본적 문제가 있으며 6F² 대비 밀도 이점은 신화에 가깝다고 말했다. 대신 기존 6F² 구조를 연장하면서 웨이퍼 본딩과 3D 적층에 집중한다. 로드맵을 보면 현재 주력인 1γ에 이어 1δ 공정을 2027년 하반기 아이다호주 보이시에서 양산하고, 6F² 계열 후속인 1ε부터 웨이퍼 본딩을 본격 도입하며 3D D램은 1ζ와 1η 사이에 배치한다. 3D D램은 High-NA EUV 장비와 신소재 탐색을 함께 진행하며 경제성이 확보되면 상용 라인에 투입할 계획이다. 메모리를 프로세서 바로 위에 올리고 하이브리드 본딩으로 접합하는 버티컬 HBM 구조도 새로 공개했다. 삼성전자와 SK하이닉스는 10나노 이하 공정의 한계를 넘기 위해 수직 채널 트랜지스터 기반 4F² 구조를 연구 중이어서 경로가 갈리는 모습이다. 미세화 경쟁이 본딩과 3D 적층으로 옮겨가는 흐름인 만큼, 메모리 직무를 준비한다면 셀 구조와 패키징 기술 용어를 함께 익혀두면 좋다.

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