[반도체] 지큐티코리아, 고내방사선 광검출 반도체 시제품 개발…2027년 하반기 상용화 목표

📍 인듐갈륨인(InGaP)·갈륨비소(GaAs) 화합물 반도체 기반 시제품 6종 개발…이론상 중성자 내성이 실리콘의 100만배 이상으로 예측돼 내구성 검증 시험 예정

📍 단일 소자 4종과 10×10(100개), 20×20(400개) 배열형 구성…입자가속기, 양성자·중입자 치료기 빔 위치 확인, 우주·수중 광통신이 목표 시장

양자통신·양자센서 기업 지큐티코리아가 강한 방사선 환경에서도 정밀 측정을 유지하는 차세대 광검출 반도체 시제품 6종을 개발했다고 11월 5일 밝혔다. 소자는 인듐갈륨인(InGaP)과 갈륨비소(GaAs) 기반 화합물 반도체로 만들었으며, 이론상 중성자 내성이 실리콘보다 100만배 이상 높을 것으로 예측된다. 회사는 이를 뒷받침할 데이터를 확보하기 위해 방사선 내구성 시험을 진행할 계획이다. 시제품은 크기가 다른 단일 소자 4종과 소자 100개를 배열한 10×10 구조, 400개를 배열한 20×20 구조로 구성됐고, 배열형은 메사 구조를 적용해 소자마다 따로 구동하고 신호를 읽을 수 있다. 실리콘 광검출기는 강한 방사선에 오래 노출되면 구조가 손상돼 잡음이 늘고 성능이 떨어져 냉각이나 차폐가 필요한데, 유럽입자물리연구소(CERN)의 입자 검출기도 같은 문제를 안고 있다. 목표 시장은 입자가속기와 양성자·중입자 치료 과정에서 빔 위치를 확인하는 입자치료 장비, 우주·수중 광통신 분야다. 상용화 시점은 2027년 하반기로 잡았고, CERN을 비롯한 주요 가속기 시설에 성능 평가와 공동 시험을 제안한 뒤 결과를 바탕으로 검출 모듈 공급을 협의할 계획이다. 곽승환 대표는 방사선 내구성과 광검출 성능을 검증하고 수요처 요구를 반영해 제품 완성도를 높이겠다고 말했다. 메모리·로직 바깥의 화합물 반도체와 센서 영역에서도 국내 기업의 개발 사례가 늘고 있는 만큼, 소자·센서 직무를 준비한다면 화합물 반도체 소재도 함께 살펴볼 만하다.

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