[반도체] 현대모비스, SiC 전력반도체 내재화 속도…독자 특허 확보하고 양산 조직 신설

📍 4년 연구 끝에 SiC 트렌치 게이트 전력반도체 소자 특허를 등록하고 파워모듈 관련 특허도 확보했다

📍 온세미컨덕터 출신 임원을 영입하고 IGBT양산기술최적화TFT를 신설해 2030년 차량용 반도체 10% 국산화를 추진한다

현대모비스가 실리콘카바이드(SiC) 전력반도체 내재화에 속도를 내고 있다. 회사는 2026년 2월 「SiC 트렌치 게이트 전력 반도체 소자 및 제조 방법」 특허를 등록한 데 이어 5월에는 전력 반도체 소자 및 칩 제조 방법, 파워모듈용 메탈 클립 특허를 잇달아 확보했다. 4년간의 연구 결과인 SiC 트렌치 소자 기술은 고전압·고효율 환경에서 전력 손실을 줄이고 칩 소형화를 가능하게 하는 것이 핵심이다. 조직 측면에서도 6월 온세미컨덕터 출신 이규현 상무를 영입하고 IGBT양산기술최적화TFT를 신설해 절연게이트양극성트랜지스터(IGBT)와 SiC 전력반도체의 공정 수율·품질 안정화를 추진한다. 회사는 2026년 전력반도체 양산, 2030년 차량용 반도체 10% 국산화를 목표로 제시했다.

전력반도체는 전기차 인버터·충전 시스템의 효율을 좌우하는 핵심 부품이지만 국내 SiC 전력반도체의 90% 이상은 미국·유럽·일본 기업에 의존하고 있다. 현대모비스는 2025년 3월 미국 실리콘밸리에 차량용 반도체 연구 거점을 세우고 같은 해 9월 제1회 차량용 반도체 포럼(ASK)을 열어 국내 팹리스·파운드리 23개사와 협력 체계를 구축해 왔다. 완성차 계열 부품사가 소자 설계부터 패키징까지 직접 챙기기 시작했다는 점에서, 메모리·파운드리 중심으로 인식돼 온 반도체 취업 시장에 전력반도체 소자·공정, 파워모듈 패키징, 신뢰성 평가 같은 새로운 직무 축이 넓어지는 흐름으로 볼 수 있다.

채용 뉴스 원문 보러 가기 (Click!)